Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The 1SS352 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 21V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 25V
- **Maximum Forward Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1µs)
- **Maximum Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS352 diode.