Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode UHF Detector, Mixer Applications The 1SS351 is a high-speed switching diode manufactured by SANYO. Key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 70 V
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 100 mA
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 2 A
- **Forward voltage (VF)**: 1 V (typical) at 10 mA
- **Reverse current (IR)**: 5 µA (maximum) at 70 V
- **Reverse recovery time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Junction capacitance (Cj)**: 2 pF (typical) at 0 V, 1 MHz
- **Operating temperature range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for high-speed switching applications.