UHF Detector, Mixer Applications Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode The 1SS350 is a high-speed switching diode manufactured by SANYO. Key specifications include:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for high-speed switching applications.

UHF Detector, Mixer Applications Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode The 1SS350 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (at VR = 20 V)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (at IF = 10 mA, IR = 1 mA)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for high-speed switching applications, such as in signal processing and rectification circuits.