Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Low Voltage High Speed Switching The 1SS348 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 21V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 25V
- **Maximum Forward Surge Current (IFSM)**: 1A (non-repetitive)
- **Maximum Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 1SS348 diode and are subject to the conditions outlined in Toshiba's datasheet.