Diode Silicon Epitaxial Schottky Planar Type Ultra High Speed Switching Application The 1SS344 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key technical specifications from the Toshiba datasheet:

1. **Type**: Silicon epitaxial planar diode.
2. **Package**: SOD-323 (SC-76).
3. **Maximum Ratings**:
   - Reverse Voltage (VR): 30 V.
   - Forward Current (IF): 100 mA.
   - Surge Forward Current (IFSM): 1 A (pulse width = 1 µs).
   - Power Dissipation (PD): 150 mW.
   - Operating Temperature Range (Tj): -55°C to +125°C.
   - Storage Temperature Range (Tstg): -55°C to +125°C.
4. **Electrical Characteristics**:
   - Forward Voltage (VF): 1 V (at IF = 10 mA).
   - Reverse Current (IR): 0.1 µA (at VR = 30 V).
   - Junction Capacitance (Cj): 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz).
   - Reverse Recovery Time (trr): 4 ns (at IF = 10 mA, IR = 1 mA).
5. **Applications**: High-speed switching, rectification, and general-purpose use in electronic circuits.

These specifications are based on the Toshiba datasheet for the 1SS344 diode. Always refer to the official datasheet for precise and detailed information.