Diode Silicon Epitaxial Planar Type Low Voltage High Speed Switching The part 1SS322 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

1. **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
2. **Package**: SOD-323 (SC-76)
3. **Forward Voltage (VF)**: 1V (max) at 100mA
4. **Reverse Voltage (VR)**: 40V
5. **Reverse Current (IR)**: 0.1µA (max) at 40V
6. **Forward Current (IF)**: 100mA (max)
7. **Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1ms)
8. **Power Dissipation (PD)**: 150mW
9. **Junction Temperature (Tj)**: 150°C (max)
10. **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
11. **Switching Time**: Trr (Reverse Recovery Time) = 4ns (typ) at 10mA, VR = 6V

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined therein.