Diode Silicon Epitaxial Planar Type Low Voltage High Speed Switching The 1SS321 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VRMS)**: 21V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (at IF = 10mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.1µA (at VR = 10V)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF (at VR = 0V, f = 1MHz)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (at IF = 10mA, IR = 1mA, RL = 50Ω)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 1SS321 diode, which is commonly used in high-speed switching applications.

Diode Silicon Epitaxial Planar Type Low Voltage High Speed Switching The part 1SS321 is a Schottky barrier diode manufactured by TOSHIBA. Key specifications include:

- **Type**: Schottky barrier diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 40 V
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 0.1 A
- **Forward voltage (VF)**: 0.5 V (typical) at 0.1 A
- **Reverse current (IR)**: 0.1 µA (typical) at 20 V
- **Operating temperature range**: -55°C to +125°C
- **Storage temperature range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.