Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type UHF Band Mixer Applications The part 1SS315 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 80 V
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 150 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS315 diode.