Diode Silicon Epitaxial Planar Type High Voltage,High Speed Switching Applications The 1SS311 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS311 diode.

Diode Silicon Epitaxial Planar Type High Voltage,High Speed Switching Applications The 1SS311 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (I_F)**: 100 mA
- **Forward Voltage (V_F)**: 1 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4 ns (typical)
- **Junction Capacitance (C_j)**: 2 pF (typical) at 0 V, 1 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 1SS311 diode.