Diode Silicon Epitaxial Planar Type General Puropose Rectifier Applications The 1SS307 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 70V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 50V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VR)**: 70V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 150mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 5µA at 70V
- **Maximum Forward Surge Current (IFSM)**: 2A (pulse width = 1µs)
- **Maximum Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (Small Outline Diode)

These specifications are typical for the 1SS307 diode, which is commonly used in high-speed switching applications.