Diode Silicon Epitaxial Planar Type High Voltage,High Speed Switching Applications The 1SS306 is a high-speed switching diode manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 80 V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 56 V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VR)**: 80 V
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (at 80 V)
- **Maximum Forward Current (IF)**: 150 mA
- **Maximum Surge Current (IFSM)**: 2 A (pulse width = 1 µs)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (at 10 mA, IF = 10 mA, IR = 1 mA)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for the 1SS306 diode and are subject to standard manufacturing tolerances.