Silicon switching diode The **1SS305-T1** from NEC is a high-performance silicon switching diode designed for a variety of electronic applications. Known for its fast switching speed and low forward voltage, this diode is well-suited for high-frequency circuits, signal processing, and general-purpose rectification.  

With a compact SOD-323 package, the 1SS305-T1 offers space-saving benefits while maintaining reliable performance. Its low capacitance and minimal leakage current make it ideal for high-speed switching applications, ensuring efficient signal integrity. The diode operates within a wide temperature range, making it suitable for both consumer and industrial electronics.  

Key specifications include a maximum reverse voltage of **80V** and a forward current of **150mA**, balancing robustness with efficiency. Its fast recovery time enhances performance in pulse and digital circuits, while its low power dissipation contributes to energy-efficient designs.  

Engineers and designers often choose the 1SS305-T1 for its consistent performance, durability, and compatibility with automated assembly processes. Whether used in communication devices, power supplies, or signal conditioning circuits, this diode provides a dependable solution for modern electronic systems.  

For detailed technical parameters, always refer to the official datasheet to ensure proper integration into your design.

Silicon switching diode The 1SS305-T1 is a high-speed switching diode manufactured by SANYO. Key specifications include:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical at 10mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: High-speed switching, rectification, and protection circuits.

This diode is designed for use in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.