DIODE SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER TYPE UHF BAND MIXER APPLICATIONS The 1SS295 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 70 V
- **Maximum average forward current (IF(AV))**: 150 mA
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 1 A (pulse width = 1 ms)
- **Forward voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)
- **Reverse current (IR)**: 5 µA (at VR = 50 V)
- **Total power dissipation (PT)**: 150 mW
- **Operating junction temperature (Tj)**: -55°C to +125°C
- **Storage temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

The diode is designed for high-speed switching applications, such as in rectification, clamping, and protection circuits.