Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The 1SS272 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: Silicon epitaxial planar diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 70 V
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 100 mA
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 2 A (non-repetitive)
- **Forward voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse current (IR)**: 5 µA (at 70 V)
- **Junction capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Reverse recovery time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Operating temperature range**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (small surface-mount package)

These specifications are typical for high-speed switching applications, such as in signal processing and high-frequency circuits.