Silicon switching diode The part 1SS222-T1B is a Schottky Barrier Diode manufactured by NEC. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Schottky Barrier Diode  
2. **Package**: SOD-323 (SC-76)  
3. **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40 V  
4. **Forward Current (IF)**: 0.2 A  
5. **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (typical) at 0.1 A  
6. **Reverse Current (IR)**: 1 µA (maximum) at 40 V  
7. **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  
8. **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C  
9. **Junction Capacitance (Cj)**: 4 pF (typical) at 0 V, 1 MHz  
10. **Power Dissipation (PD)**: 150 mW  

These specifications are provided for reference and are based on the manufacturer's datasheet.