Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The 1SS201 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 21V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 5µA at 25V
- **Maximum Forward Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1µs)
- **Operating and Storage Junction Temperature Range (Tj, Tstg)**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

This diode is designed for high-speed switching applications and is commonly used in rectification, signal detection, and other general-purpose applications.

Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part 1SS201 is a diode manufactured by Toshiba. It is a switching diode with the following specifications:

- **Type**: Switching Diode
- **Package**: SOD-123
- **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 100V
- **Maximum Forward Current (I_F)**: 150mA
- **Forward Voltage (V_F)**: 1V (typical) at 10mA
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the standard datasheet provided by Toshiba for the 1SS201 diode.