Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The part 1SS200 is a high-speed switching diode manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: High-speed switching, rectification, and general-purpose use in electronic circuits.

This diode is designed for high-speed switching applications and is commonly used in circuits requiring fast response times.

Diode Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application The 1SS200 is a high-speed switching diode manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 1V at a forward current of 10mA.
- **Reverse Voltage (VR):** 75V.
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical).
- **Forward Current (IF):** 150mA (average).
- **Package:** SOD-323 (small surface-mount package).

These specifications make the 1SS200 suitable for high-speed switching applications, such as in communication devices and signal processing circuits.