Signal-Switching Diode The 1SS187 is a silicon epitaxial planar diode manufactured by Toshiba. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 1V at a forward current of 10mA.
- **Reverse Voltage (VR):** 75V.
- **Reverse Current (IR):** Maximum of 5µA at the rated reverse voltage.
- **Junction Capacitance (Cj):** Typically 2pF at a reverse voltage of 0V and a frequency of 1MHz.
- **Reverse Recovery Time (trr):** Typically 4ns.
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C.
- **Package:** SOD-323 (SC-76).

These specifications make the 1SS187 suitable for high-speed switching, rectification, and protection circuits.

Signal-Switching Diode The 1SS187 is a high-speed switching diode manufactured by DIODES Incorporated. Key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 1V at 10mA.
- **Reverse Voltage (VR):** 75V.
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical).
- **Forward Current (IF):** 150mA (continuous).
- **Package:** SOD-323 (small surface-mount package).

These specifications make the 1SS187 suitable for high-speed switching applications, such as in signal processing and communication systems.

Signal-Switching Diode The part number 1SS187 is a high-speed switching diode manufactured by TOSHIBA. The key specifications for the 1SS187 diode are as follows:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (typical) at 10 mA
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (typical) at 0 V, 1 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

This diode is designed for high-speed switching applications, such as in communication devices, high-frequency circuits, and other electronic equipment requiring fast response times.

Signal-Switching Diode The part 1SS187 is a diode manufactured by TOSHIBA. It is a high-speed switching diode with the following specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 75V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 53V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 75V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 150mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 5µA at 75V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 150mA
- **Maximum Surge Current (IFSM)**: 2A (pulse width = 1ms)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOD-323 (SC-76)

These specifications are typical for the 1SS187 diode and are subject to standard manufacturing tolerances.

Signal-Switching Diode The part 1SS187 is a diode manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from the TOS (Toshiba) datasheet:

- **Type**: Switching Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (typical at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.1 µA (maximum at 25°C)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (typical at 0 V, 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the conditions outlined therein.

Signal-Switching Diode The part 1SS187 is a diode manufactured by TOSHIBA. It is a high-speed switching diode with the following specifications:

- **Type**: Silicon Epitaxial Planar Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Maximum RMS Reverse Voltage (VR(RMS))**: 21V
- **Maximum DC Reverse Voltage (VR)**: 30V
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 1V at 10mA
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 0.1µA at 25V
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100mA
- **Maximum Surge Current (IFSM)**: 1A (pulse width = 1ms)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF at 0V, 1MHz
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are typical for the 1SS187 diode and are subject to standard manufacturing tolerances.