### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-223 (Surface Mount)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 20V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 20V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–250 (typical at I_C = 100mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for surface-mount PCB designs.  
- RoHS compliant.  
- Used in power management, motor control, and signal amplification circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details before use.)

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 20V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 12V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = 2mA, VCE = 5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- High-speed switching NPN transistor  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT)  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  
- RoHS compliant  

(Note: Always verify datasheet details for exact performance characteristics.)