N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs The VN10K is a power MOSFET manufactured by SIVN. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 30A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 30W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 250pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The VN10K is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is suitable for use in power management, motor control, and DC-DC converters due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for efficient performance  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Avalanche energy rated for reliability  
- Suitable for surface-mount applications  

This information is based solely on the available knowledge base for the VN10K MOSFET by SIVN.