Sensitive Gate Triac The TP4A60S is a P-channel MOSFET manufactured by H. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TP4A60S is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is commonly used in power management circuits, DC-DC converters, and motor control systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High ruggedness and reliability  
- Suitable for surface-mount applications (TO-252/DPAK package)  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the available technical data for the TP4A60S MOSFET.