Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier Here are the factual details about part **TBB1012MMTL-E** from the manufacturer **RENESAS**:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Renesas Electronics  
- **Part Number:** TBB1012MMTL-E  
- **Type:** RF Switch IC  
- **Package:** MLP (Micro Leadframe Package)  
- **Configuration:** SPDT (Single Pole Double Throw)  
- **Frequency Range:** 50 MHz to 6 GHz  
- **Insertion Loss:** Typically 0.5 dB at 2 GHz  
- **Isolation:** Typically 30 dB at 2 GHz  
- **Power Handling:** 30 dBm (CW)  
- **Control Voltage:** 1.8 V compatible  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions:**  
The **TBB1012MMTL-E** is a high-performance RF switch designed for wireless communication applications. It provides low insertion loss and high isolation, making it suitable for use in mobile devices, base stations, and other RF systems.  

### **Features:**  
- **Low Insertion Loss:** Ensures minimal signal degradation.  
- **High Isolation:** Reduces interference between channels.  
- **Broadband Operation:** Supports frequencies from 50 MHz to 6 GHz.  
- **1.8V Control Logic:** Compatible with low-voltage systems.  
- **Small Package (MLP):** Space-saving design for compact applications.  
- **High Power Handling:** Supports up to 30 dBm continuous wave (CW) power.  

This information is based on Renesas' official documentation for the **TBB1012MMTL-E** RF switch IC.