### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Ptot):** 1 W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 4 V  
- **Collector Current (IC):** 0.5 A  
- **Transition Frequency (fT):** 2500 MHz  
- **Noise Figure (NF):** 1.5 dB (typical)  
- **Gain (hFE):** 10-40 (at specified conditions)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
The TAA861A is a high-frequency NPN transistor designed for RF amplification applications. It is optimized for low-noise performance and high gain in the microwave frequency range.  

### **Features:**  
- High transition frequency (fT) for RF applications  
- Low noise figure for improved signal clarity  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  
- Suitable for VHF/UHF and microwave circuits  
- Reliable performance in amplification and oscillator circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.