Bi-Directional Triode Thyristor The STP12A60 is a power MOSFET manufactured by SEMIWELL. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 156W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STP12A60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance for power dissipation.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Bi-Directional Triode Thyristor The STP12A60 is a power MOSFET manufactured by SEMIW. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SEMIW  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STP12A60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (0.45Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Handling (12A continuous, 48A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Bi-Directional Triode Thyristor The STP12A60 is a power MOSFET manufactured by SEMIWLL. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The STP12A60 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, inverters, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Bi-Directional Triode Thyristor The STP12A60 is a power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The STP12A60 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.