### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **STN2907SF** is a PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in circuits requiring medium power handling and high current gain.  

### **Features:**  
- High current capability  
- Low saturation voltage  
- Complementary to NPN transistors (e.g., 2N2222)  
- Suitable for switching and amplification in electronic circuits  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.