NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT3904E6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Taiwan Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The SMBT3904E6327 is a small-signal transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, such as signal amplification, switching, and driver stages.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for RF and high-speed applications.  
- RoHS compliant and lead-free.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

NPN Silicon Switching Transistor with... The **SMBT3904E6327** is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Infineon Technologies**.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 200mA  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (typically at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Package Type:** SOT-23 (SC-59)  

### **Features:**  
- High current gain  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and amplification applications  
- Small surface-mount package  

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching circuits.

NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT3904E6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The SMBT3904E6327 is a small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact PCB designs.  

### **Key Features:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz (typical)  
- **Package Type:** SOT-23 (3-pin)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  
- Driver stages  

This transistor is a surface-mount alternative to the through-hole 2N3904 transistor.  

Would you like any additional details?