NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT3904E6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Taiwan Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**  
- The SMBT3904E6327 is a small-signal transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, such as signal amplification, switching, and driver stages.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for RF and high-speed applications.  
- RoHS compliant and lead-free.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

NPN Silicon Switching Transistor with...

NPN Silicon Switching Transistor with... The **SMBT3904E6327** is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Infineon Technologies**.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 200mA  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (typically at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Package Type:** SOT-23 (SC-59)  

### **Features:**  
- High current gain  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and amplification applications  
- Small surface-mount package  

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching circuits.

NPN Silicon Switching Transistor with...

NPN Silicon Switching Transistor with... The SMBT3904E6327 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The SMBT3904E6327 is a small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact PCB designs.  

### **Key Features:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz (typical)  
- **Package Type:** SOT-23 (3-pin)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  
- Driver stages  

This transistor is a surface-mount alternative to the through-hole 2N3904 transistor.  

Would you like any additional details?

NPN Silicon Switching Transistor with...