**Part Number:** SI7913DN-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 4.5mΩ  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5V:** 6mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI7913DN-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- TrenchFET® technology for improved efficiency  
- PowerPAK® SO-8 package for enhanced thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

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