### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI7848BDP  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480 A  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10 V:** 1.8 mΩ  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5 V:** 2.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **High Current Handling:** Supports high continuous and pulsed drain currents.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Enhances performance with reduced conduction and switching losses.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and other high-current switching circuits.  

This information is sourced from Vishay's official documentation. Let me know if you need further details.