N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET The SI7106DN-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7106DN-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET (TrenchFET® Gen IV)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(ON) (Max):** 1.6mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI7106DN-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency switching.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and power dissipation.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Enhances switching performance and reduces gate charge.  
- **Optimized for Power Management:** Ideal for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from Vishay's official documentation.