Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4816BDY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4816BDY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3 A (per channel)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per channel)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4816BDY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 5.3 A continuous current per channel.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Thermal Performance:** PowerPAK® SO-8 package improves heat dissipation.  
- **Dual-Channel Design:** Space-saving solution for compact designs.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.