N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4812BDY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4812BDY-T1-GE3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28mΩ at V_GS = -4.5V  
  - 36mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI4812BDY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications.  
- It features a low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for load switching and power distribution.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and space-saving benefits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- Fast switching performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI4812BDY-T1-GE3.