Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI4804BDY-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per MOSFET)  
- **R_DS(ON) (Max):** 28mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4804BDY-T1-E3 is a dual N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switching, and power distribution systems.  

**Features:**  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for synchronous rectification  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The SI4804BDY-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Pb-Free Specifications:**  
- The SI4804BDY-T1-E3 is **lead-free (Pb-free)** and complies with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directives.  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Applications:** Power management in DC-DC converters, load switching, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 4.5 mΩ (max) at VGS = 10 V  
  - 6.0 mΩ (max) at VGS = 4.5 V  
- **Low Gate Charge (Qg):** 24 nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Power Efficiency**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Optimized for Synchronous Buck Converters**  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications.

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The SI4804BDY-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by SILICONIX (a subsidiary of Vishay). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Part Number:** SI4804BDY-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.022Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI4804BDY-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) for efficient power handling.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and space-saving benefits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Optimized for DC-DC Converters, Motor Control, and Load Switching.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.