SI3443DV ,P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchSi3443DVApril 2001Si3443DVP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET - ..
SI3443DVTR ,-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) packagePD- 93795BSi3443DVHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 6D D P-Channel MOSFETV = -20VDS ..
SI3443DVTRPBF ,-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) packageapplications where printed circuit board space is at apremium. It's unique thermal design and R ..
SI3445ADV , P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445ADV-T1-E3 , P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3445DV ,P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETApplications • High performance trench technology for extremely • Battery management low R DS(ON)• ..
SKKT57B16E , Thyristor / Diode Modules
SKKT72B16E , Thyristor / Diode Modules
SKKT92B16E , Thyristor / Diode Modules
SKM100GAL12T4 , Fast IGBT4 Modules
SKM100GB063D , Superfast NPT-IGBT Module
SKM100GB125DN , SEMITRANSR M Ultra Fast IGBT Modules
SI3443DV
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
Si3443DV April 2001 Si3443DV P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET ������������������� �������� -����3�"�����$�����������’����4,*�5-��������+��� � �������������� ���������Ω ��� ��������� ������ �� +������������$�6����7������3����-������������������ ���� ����������Ω ��� ��������� ������ �� ����8�����������$$#����$��������(���(�9���������� ���������������#���(��������$���������������’�� � ��������������������� �+��������������������’��(����� -�������7�������7��8�����������������’’����)��������$ � ���������������� !���"��#����$%� ������ ������������ ��� �� 7��#� �(�$$� ’��������� ’�� ���&�������’��(������������������$��#�’����)���(�$# ���$�������������������$���������.����������(��������$� ����$���� � ������ �� ������������ � *+���*,- ������.���/��(�$$�’��������� !�0��(�$$�� �� ������������ ������������������*,�1%2�$������’�$�� �((�����.%� ���:�����#����������� ���3�����(�����(��� S 1 6 D D 2 5 G D 3 3 4 TM D SuperSOT -6 Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted A Symbol Parameter Ratings Units V Drain-Source Voltage -20 V DSS V Gate-Source Voltage V GSS ±8 I Drain Current - Continuous (Note 1) -4 A D Drain Current - Pulsed (Note 1a) -20 P Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 1.6 W D (Note 1b) 0.8 T , T Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C J stg Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 78 R °C/W JA θ Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 30 R °C/W JC θ Package Outlines and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape Width Quantity .443 Si3443DV 7’’ 8mm 3000 units 2001 Si3443DV, REV A
