N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The part **SI2366DS** is manufactured by **Vishay**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2366DS  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **R_DS(ON) (Max):** 28mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI2366DS is a **N-Channel MOSFET** designed for **high-efficiency power management** applications.  
- It utilizes **Vishay’s TrenchFET® Gen III technology**, providing **low on-resistance (R_DS(ON))** and **high switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, load switches, motor control, and battery management** applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for high-frequency switching** applications.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**.  
- **PowerPAK® SO-8 package** for improved thermal performance and space savings.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  

This information is sourced from Vishay's official documentation.