Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The **SI1972DH-T1-E3** is a **Power MOSFET** manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1972DH-T1-E3  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.036Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability for automotive applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in **power management, DC-DC converters, motor control, and load switching** applications.  

(Note: All details are sourced from Vishay's official documentation.)