Power MOSFET The **NVD3055L170T4G** is a high-performance power MOSFET designed for efficient switching applications in various electronic circuits. This N-channel device features a robust design with a low on-resistance (RDS(on)) of 170 mΩ, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. Its compact DPAK (TO-252) package makes it suitable for space-constrained designs while maintaining excellent heat dissipation.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 55V and a continuous drain current (ID) of 12A, the NVD3055L170T4G is well-suited for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching applications. The MOSFET also offers fast switching speeds, enhancing efficiency in high-frequency circuits.  

Key characteristics include a low gate charge (Qg) and a threshold voltage (VGS(th)) optimized for compatibility with low-voltage control signals. These features make it an ideal choice for energy-efficient designs in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Engineers value the NVD3055L170T4G for its reliability, thermal stability, and cost-effectiveness, making it a preferred component in modern power electronics. Its compliance with industry standards ensures consistent performance across diverse operating conditions.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your circuit design.