Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89 The **NTE4153NT1G** is a high-performance, surface-mount N-channel enhancement-mode MOSFET designed for a variety of switching and amplification applications. This component is known for its efficient power handling, low on-resistance, and fast switching speeds, making it suitable for use in power management circuits, DC-DC converters, and motor control systems.  

With a compact SOT-23 package, the NTE4153NT1G offers space-saving advantages while maintaining reliable thermal and electrical performance. Its low threshold voltage ensures compatibility with low-voltage logic circuits, enhancing its versatility in modern electronic designs.  

Key specifications include a drain-source voltage (V_DS) rating of 30V, a continuous drain current (I_D) of 4.5A, and a low typical on-resistance (R_DS(on)) of 45mΩ at 10V gate drive. These characteristics contribute to reduced power losses and improved efficiency in high-frequency applications.  

Engineers and designers often select the NTE4153NT1G for its robust performance in demanding environments, where reliability and energy efficiency are critical. Whether used in consumer electronics, industrial automation, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for power switching needs.  

For detailed application guidance, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure optimal performance and adherence to operational limits.