Power MOSFET 40 V, 76 A, Single N−Channel, DPAK The **NTD5803NT4G** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With its advanced trench technology, this component offers low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it ideal for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring a compact DPAK (TO-252) package, the NTD5803NT4G provides excellent thermal performance and reliability under demanding conditions. Its robust design ensures minimal power loss, enhancing energy efficiency in both industrial and consumer electronics.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 45A, allowing it to handle substantial power loads with ease. Additionally, the MOSFET supports logic-level gate drive, simplifying integration into low-voltage control circuits.  

Engineers and designers will appreciate its low gate charge and high avalanche energy rating, which contribute to improved system durability and reduced switching losses. Whether used in battery management systems, load switches, or other power applications, the NTD5803NT4G delivers dependable performance while maintaining cost-effectiveness.  

For detailed electrical characteristics and application guidelines, consulting the datasheet is recommended to ensure optimal implementation in circuit designs.