1M-BIT [128K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM The **MX26C1000APC-90** is a high-performance **1 Megabit (128K x 8) CMOS EEPROM** designed for applications requiring reliable non-volatile memory storage. Operating at a **90ns access time**, this component ensures fast read operations, making it suitable for systems where speed and efficiency are critical.  

Built with **low-power CMOS technology**, the MX26C1000APC-90 offers reduced power consumption, enhancing energy efficiency in battery-operated or power-sensitive devices. It supports a **wide voltage range (4.5V to 5.5V)**, ensuring compatibility with standard 5V systems while maintaining stable performance.  

The device features a **byte-write capability**, allowing individual bytes to be programmed without requiring a full block erase. Additionally, it includes a **write protection** feature to prevent accidental data corruption. With an endurance rating of **100,000 write cycles** and a **data retention period of 10 years**, this EEPROM guarantees long-term reliability.  

Common applications include embedded systems, industrial controls, automotive electronics, and legacy computing where non-volatile memory is essential. Its **industrial-grade temperature range (-40°C to +85°C)** ensures dependable operation in harsh environments.  

The MX26C1000APC-90 is housed in a **28-pin PDIP package**, providing ease of integration into various circuit designs. Its combination of speed, durability, and low power consumption makes it a versatile choice for engineers seeking robust memory solutions.