The **MX23C4000MC-12** is a high-performance **4-Megabit (512K x 8) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast data access and low power consumption. This component operates at a **12ns access time**, making it suitable for high-speed computing, networking, and embedded systems where rapid data retrieval is critical.  

Built with advanced **CMOS technology**, the MX23C4000MC-12 ensures reliable performance with low standby current, making it ideal for battery-powered and energy-efficient devices. It features a **wide operating voltage range**, typically between **4.5V and 5.5V**, ensuring compatibility with various digital systems.  

The SRAM is organized in an **8-bit wide configuration**, providing straightforward interfacing with microprocessors and microcontrollers. Its **asynchronous operation** allows for easy integration without complex timing constraints. Additionally, the component is available in a **32-pin SOP (Small Outline Package)**, offering a compact footprint for space-constrained designs.  

Common applications include **cache memory, industrial control systems, telecommunications equipment, and automotive electronics**. With its robust design and high-speed performance, the MX23C4000MC-12 is a dependable choice for engineers seeking efficient and reliable memory solutions.  

This SRAM component balances speed, power efficiency, and durability, making it a versatile option for modern electronic systems.