The MT4C1M16E5DJ-6 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module designed for applications requiring reliable and efficient data storage. This component is part of the 16Mx16 configuration, offering a total capacity of 256 megabits (32 megabytes), making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial computing solutions.  

Operating at a speed grade of -6, the MT4C1M16E5DJ-6 supports fast data transfer rates, ensuring responsive performance in real-time processing environments. It features a synchronous interface, allowing it to align with system clock cycles for precise timing and reduced latency. The component operates at a standard voltage range, balancing power efficiency with performance demands.  

Designed for stability, the MT4C1M16E5DJ-6 incorporates error-checking mechanisms and robust signal integrity features, making it ideal for mission-critical applications. Its compact form factor and industry-standard pinout ensure compatibility with a wide range of circuit designs.  

Engineers and developers often select this SDRAM module for its balance of speed, capacity, and reliability. Whether used in telecommunications infrastructure, automotive systems, or industrial automation, the MT4C1M16E5DJ-6 provides a dependable memory solution for demanding environments.  

For detailed specifications, including timing parameters and electrical characteristics, consulting the official datasheet is recommended to ensure proper integration into system designs.

The MT4C1M16E5DJ-6 is a high-performance, low-power dynamic random-access memory (DRAM) module designed for applications requiring reliable and efficient data storage. This component is part of a series of memory solutions optimized for embedded systems, industrial computing, and telecommunications equipment, where stability and power efficiency are critical.  

With a 16M-bit (1M x 16) organization, the MT4C1M16E5DJ-6 offers a balanced combination of speed and capacity, making it suitable for real-time processing tasks. It operates at a voltage range of 3.3V, ensuring compatibility with a wide array of systems while minimizing power consumption. The device features a fast access time and supports standard DRAM refresh cycles, ensuring data integrity over extended periods.  

The MT4C1M16E5DJ-6 is built with industry-standard packaging, facilitating easy integration into existing designs. Its robust construction ensures durability in demanding environments, making it a preferred choice for industrial and automotive applications where temperature fluctuations and electrical noise are common challenges.  

Engineers and designers value this component for its consistent performance, low latency, and compatibility with legacy systems. Whether used in networking hardware, medical devices, or automation controllers, the MT4C1M16E5DJ-6 provides a dependable memory solution for applications that demand both speed and reliability.  

By leveraging advanced semiconductor technology, this DRAM module delivers efficient data handling while maintaining a compact footprint, making it an ideal choice for space-constrained designs.