The **MSM514221B-30JS** is a high-performance **Static Random-Access Memory (SRAM)** integrated circuit designed for applications requiring fast data access and low power consumption. With a capacity of **512Kb (64K × 8 bits)**, this component is well-suited for embedded systems, networking equipment, and industrial automation where reliable, high-speed memory is essential.  

Operating at a **3.3V supply voltage**, the MSM514221B-30JS features a **30ns access time**, ensuring efficient data retrieval for real-time processing tasks. Its **asynchronous operation** allows for straightforward integration into various digital systems without complex timing constraints. Additionally, the component supports **low-power standby modes**, making it ideal for battery-powered or energy-efficient devices.  

The **MSM514221B-30JS** is housed in a **32-pin SOP (Small Outline Package)**, providing a compact footprint while maintaining robust electrical performance. Its **industrial-grade temperature range (-40°C to +85°C)** ensures reliable operation in harsh environments, making it suitable for automotive, aerospace, and ruggedized applications.  

Key features include **non-volatile data retention**, ensuring stability during power fluctuations, and **TTL-compatible inputs/outputs** for seamless interfacing with standard logic circuits. Whether used in data buffering, cache memory, or microcontroller-based systems, the MSM514221B-30JS delivers dependable performance for demanding electronic designs.  

Engineers and designers seeking a **high-speed, low-power SRAM solution** will find the MSM514221B-30JS a versatile and efficient choice for their memory requirements.