RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) **Introduction to the MRF7S21170HSR3 RF Power Transistor**  

The MRF7S21170HSR3 is a high-performance RF power transistor designed for demanding applications in wireless communication and industrial systems. This N-channel enhancement-mode lateral MOSFET is optimized for operation in the 2110–2170 MHz frequency range, making it particularly suitable for cellular infrastructure, including base stations and repeaters.  

With a typical output power of 170 W and high gain characteristics, the MRF7S21170HSR3 ensures efficient signal amplification while maintaining excellent linearity. Its advanced design minimizes distortion, making it ideal for modern modulation schemes such as LTE and 5G. The device operates at a drain voltage of 28 V, providing a balance between power efficiency and thermal performance.  

Key features include robust thermal stability, low intermodulation distortion, and high reliability under continuous operation. The transistor is housed in a thermally enhanced package, ensuring effective heat dissipation in high-power applications. Additionally, its matching network is internally optimized, simplifying system integration.  

Engineers favor the MRF7S21170HSR3 for its consistent performance, durability, and compliance with industry standards. Whether used in macrocell or small-cell deployments, this RF power transistor delivers the power and precision required for next-generation wireless networks.  

For detailed specifications, refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper implementation in your design.