4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS, 50 WATTS # **MJE15035G: A High-Performance Power Transistor for Demanding Applications**  

The MJE15035G is a robust NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for high-power amplification and switching applications. With a collector-emitter voltage (V_CE) rating of 350V and a continuous collector current (I_C) of 8A, this transistor is well-suited for demanding circuits in power supplies, audio amplifiers, motor control, and industrial systems.  

Engineered for reliability, the MJE15035G features a high current gain bandwidth product, ensuring efficient performance in high-frequency switching scenarios. Its low saturation voltage minimizes power dissipation, enhancing thermal efficiency and prolonging operational life. The device is housed in a TO-220 package, providing excellent heat dissipation and mechanical stability for PCB mounting.  

Key specifications include a power dissipation rating of 50W and a transition frequency (f_T) of 30MHz, making it a versatile choice for both linear and switching applications. Additionally, the transistor’s high current gain (h_FE) ensures stable operation under varying load conditions.  

The MJE15035G is an ideal solution for designers seeking a dependable, high-voltage transistor with strong thermal performance. Its rugged construction and consistent electrical characteristics make it a preferred choice in professional and industrial electronics. Whether used in power regulation, audio amplification, or motor drives, this transistor delivers the durability and efficiency required for critical applications.  

For engineers and manufacturers prioritizing performance and longevity, the MJE15035G stands out as a reliable component in high-power electronic designs.