HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR30H100CT-E1 is a Schottky barrier rectifier manufactured by BCD Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** BCD Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-220AB (3-pin)  
- **Configuration:** Common cathode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 30A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 300A  
- **Reverse Voltage (VR):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.85V (typical at 15A)  
- **Maximum Reverse Leakage Current (IR):** 1mA (at 100V, 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The MBR30H100CT-E1 is a dual Schottky rectifier with a common cathode configuration, designed for high-efficiency power applications.  
- It is suitable for switching power supplies, DC-DC converters, reverse polarity protection, and freewheeling diodes.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports high current applications.  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands transient overloads.  
- **Guard Ring for Transient Protection:** Improves reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.