HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER The MBR10100CTF-E1 is a Schottky Barrier Rectifier manufactured by ON Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Type:** Schottky Barrier Rectifier  
- **Package:** TO-220AB (2-Lead)  
- **Configuration:** Dual Common Cathode  
- **Maximum Average Forward Current (Io):** 10A per diode (20A total)  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 150A  
- **Maximum Reverse Voltage (Vr):** 100V  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** 0.71V (typical) at 5A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 0.5mA (typical) at 100V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +175°C  
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -65°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The MBR10100CTF-E1 is a high-efficiency Schottky rectifier designed for low-voltage, high-frequency applications such as switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection.  
- It features a dual common cathode configuration in a TO-220AB package, making it suitable for high-current applications.  
- The Schottky barrier design ensures minimal switching losses and fast recovery times.  

### **Features:**
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances efficiency in power conversion applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 10A per diode (20A total).  
- **High Surge Current Capacity:** Withstands up to 150A peak surge current.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance in a wide temperature range (-65°C to +175°C).  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from ON Semiconductor's official datasheet for the MBR10100CTF-E1.