8M (1M x 8/512 K x 16) BIT The **MBM29LV800TE-70TN** is a **Flash Memory** device manufactured by **FUJITSU**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Technology:** NOR  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16-bit or 1M x 8-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-Pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV800TE-70TN** is a **3.0V-only**, **8 Mbit (1 MB)** flash memory device.  
- It supports both **16-bit and 8-bit** data bus configurations.  
- Designed for high-performance applications requiring fast read/write operations.  
- Suitable for embedded systems, automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Single Power Supply:** 2.7V - 3.6V operation.  
- **Fast Access Time:** 70 ns.  
- **Sector Erase Architecture:** Uniform 16 KB sectors.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 15 mA (typical)  
  - Standby Current: 1 µA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via programming commands.  
  - Reset/Power-down write protection.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout and command set.  
- **Reliability:**  
  - Minimum 100,000 erase/program cycles per sector.  
  - Data retention of 20 years.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **MBM29LV800TE-70TN** by **FUJITSU**.