8M (1M x 8/512 K x 16) BIT The **MBM29LV800BE70TN** is a flash memory device manufactured by **FUJITSU**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1M x 8-bit / 512K x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 16KB sectors  

### **Descriptions:**  
- The **MBM29LV800BE70TN** is a **3.0V-only** flash memory device with a flexible **x8/x16** data bus configuration.  
- It supports **asynchronous read and write operations** with a standard microprocessor interface.  
- The device features **boot sector protection** for secure firmware storage.  
- It is designed for **high-performance, low-power** applications.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V for read, program, and erase.  
- **Fast Access Time:** 70 ns.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 15 mA (typical)  
  - Standby Current: 1 µA (typical)  
- **Sector Erase Capability:** Uniform 16KB sectors for flexible memory management.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection and power-on reset.  
- **Compatibility:** JEDEC-standard command set for easy integration.  
- **Reliability:** 100,000 program/erase cycles minimum per sector.  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications for the **MBM29LV800BE70TN** by **FUJITSU**.