FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation The **MBM29DL163TD-90PFTN** is a flash memory product manufactured by **FUJITSU**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** Non-Volatile  
- **Memory Size:** 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Speed:** 90ns access time  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface:** Parallel  
- **Organization:**  
  - x8: 2,097,152 words × 8 bits  
  - x16: 1,048,576 words × 16 bits  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** CMOS  
- **Architecture:** Uniform sector structure (sector erase capability)  
- **Erase/Program Operations:**  
  - Byte/Word Program  
  - Sector Erase (4KB, 32KB, 64KB sectors)  
  - Chip Erase  
- **Data Retention:** 20 years (typical)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 20mA (typical)  
  - Standby Current: 1µA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector Protection/Unprotection  
  - VPP (Programming Voltage) Detection  
- **Software Command Set Compatibility:** JEDEC-standard  
- **Automatic Sleep Mode:** Reduces power consumption when inactive  
- **Reliable Performance:** High-speed read/write operations with robust endurance  

This flash memory is designed for embedded systems, industrial applications, and other devices requiring non-volatile storage with fast access times.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for updated specifications.)