4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory The **M29W040B120N6** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Size:** 4 Mbit (512K x 8)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:** Uniform 64Kbyte sectors  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP48  

### **Descriptions:**  
- The **M29W040B120N6** is a **4 Mbit (512K x 8)** flash memory device with a **120 ns access time**.  
- It operates within a **2.7V to 3.6V** supply voltage range, making it suitable for low-power applications.  
- The device features a **parallel interface** and is organized in **uniform 64Kbyte sectors** for flexible erase and programming.  
- It is designed for applications requiring **non-volatile storage**, such as embedded systems, automotive, and industrial electronics.  

### **Features:**  
- **Single Voltage Operation:** 2.7V - 3.6V  
- **Fast Read Access Time:** 120 ns  
- **Sector Erase Capability:** 64 Kbyte sectors  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 15 mA (typical)  
  - Standby Current: 1 µA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector Protection  
  - Temporary Sector Unprotection  
- **Compatibility:** JEDEC-standard commands  
- **Reliable Data Retention:** 20 years (minimum)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.